第四章 优化MOSFET模型 (第2/2页)
迟迟没有从数学模型层面出发,很好优化胡正明的MOSFET模型的结果。
要知道此时离1985年过去了十三年。
远在旧金山湾区的胡正明教授,每天早上和往常一样,先查阅一遍自己的邮箱。
电子邮箱已经有十来年的历史,这十来年里,受益于电子邮箱,来自世界各地的科学家们交流变得更加频繁。
对于胡正明来说,每天到办公室的第一件事,也从查收纸质邮件,变成了查收电子邮件。
一封名为MOSFET模型优化的邮件,很快吸引了他的注意。
毕竟作为该模型的创造者,胡正明本人也希望能够进一步优化它。
可惜不管是他本人,还是其他科学家,都没有谁能够从数学模型的角度,对MOSFET进行优化。
“......这种临界能量和观察到的时间依赖性可以用涉及=SisH键断裂的物理模型来解释。器件寿命与I-2sub9I1d9ΔV15t成正比。如果由于L小或Vd大等原因导致Isub变大,则τ会变小。因此,Isub(可能还有光发射)是τ的有力预测因子。
已发现比例常数因不同技术而异,相差100倍,这为未来通过电介质/界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。一个简单的物理模型可以将沟道场Em与所有器件参数和偏置电压相关联。描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”
因为胡正明构建的数学模型很简单,简单的描绘了MOSFET退化的本质。
越是简单的模型,越难进行优化。
但是这封邮件,为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。
优化后的数学模型,能够解释更多的现象,从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。
为了看这封邮件,胡正明完全忘了还有咖啡这回事。
他看完核心部分后,再回过头去看了眼是谁发给他的邮件,zhouxin@,来自燕大的邮件。
“周新?我没听过燕大半导体领域有这么一号人物啊?而且按理来说不应该发论文吗?”胡正明内心很是纳闷。
能够做出这种级别创新的一般来说,不会是什么无名之辈。
胡正明又看了下邮件的最后部分,邮件最后部分表达了希望来他手下读博。
胡正明这下才懂,对方为什么给他发这封邮件。
原来是通过这种方式来吸引他的注意力。
之前他也收到过华国学生寄来类似的邮件,通过表达自己对科研的看法,以及读一些论文之后的想法,试图从他这里获得一封推荐信。
放在二十年后,这叫套磁。
只是这些华国学生的跨国邮件充其量只是一个想法。
而周新发过来的,补充一点总述,就称得上一篇完整的论文,而是是可以发顶刊的论文。
胡正明打算回一封邮件给对方,打一通电话,详细聊聊。
如此高质量的论文,出自一名大学生之手还是很罕见的。
胡正明希望通过直接通话,对对方的水平进行进一步的确认。